赫爾納供應英國Jandel四探針探頭電阻率測量
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英國Jandel四探針探頭產品介紹：
Jandel Engineering Limited是一家成立于1967年的英國私營企業，總部位于倫敦北部盧頓附近的Leighton Buzzard 。公司創始人John Clark曾在倫敦A&M Fell公司工作期間，與同事共同設計了款商用四探針探頭——“Fell"探頭 。Jandel成立初期的產品是電解式濕度計單元，至今仍是英國該配件的生產廠家 。1968年，公司進入半導體行業，開始設計和制造手動操作的半導體和薄膜測量系統以及電子式電流電壓表 。經過五十余年的發展，Jandel已成為四探針測試儀和電阻率測量領域的技術型企業，其探頭產品由經過至少六年培訓的經驗豐富的工程師手工制造 。公司主要服務于半導體行業、大學實驗室及研究應用，提供高質量的探頭探針和臺式電阻率測量設備 。
主要產品：
四探針探頭
可調節高度自動探頭 (AFPP)
手動探針臺
電阻率測量設備 (如RM3000)
電解濕度計電池
探針
主要型號：
AFPP (可調節高度自動探頭)
cartridge型四探針探頭
KLA兼容探頭
CDE ResMap兼容探頭
AIT兼容探頭
Napson兼容探頭
Veeco兼容探頭
Alessi兼容探頭
英國Jandel四探針探頭電阻率測量產品介紹：
四探針探頭 (Four-Point Probe Heads)
Jandel的四探針探頭是其核心產品，用于測量材料的薄層電阻和體電阻率 。
技術參數 ：
探針間距：可選0.500mm、0.635mm、1.00mm、1.27mm、1.591mm（公差±10μm）。
探針排列：線性排列或方形（矩形）排列。
探針針尖材質：標準為碳化鎢（直徑0.4mm），可選50%鋨合金。
針尖半徑曲率：可選12.5μm、25μm、40μm、100μm、150μm、200μm、300μm、500μm。
針尖壓力：每根探針的壓力可在10g至250g之間設定。
平面度：針尖平面度可達±0.025mm或更好。
絕緣電阻：在500V電壓下，兩針之間的電阻高達1013Ω。
導向結構：上下導向裝置均采用寶石軸承，確保探針平滑垂直移動 。
工作原理：四探針技術基于四點接觸測量原理。外側兩個探針通以恒定電流，內側兩個探針測量電壓，通過電壓與電流的比值結合樣品幾何修正系數，計算出材料的電阻率或薄層電阻。
AFPP (可調節高度自動探頭)
AFPP是一款專為四點探針測量設計的自動Z軸運動裝置，可與探針臺配合使用 。
技術參數 ：
可測晶片直徑：≤300mm。
可測樣品厚度：≤250mm（可定制更高）。
控制方式：具有樣品接觸傳感器，可實現自動停止；支持手動和遠程控制。
電源：可使用獨立電源適配器，或通過Jandel RM3000電阻率測量儀單線連接供電和控制。
系統組成：包含測試臺、AFPP主機、可調節高度軸桿、四探針探頭及連接電纜。
工作原理：AFPP通過電機驅動探針頭自動向下移動，當探針接觸到樣品表面時，集成的傳感器會檢測到接觸并自動停止，從而保護探針和樣品，并實現可重復的測量高度。
cartridge型四探針探頭（兼容CDE系統）
這是一款專門設計用于與CDE (Control Data Corporation) 系統兼容的探頭，具有6個連接通道 。
技術參數：與標準四探針探頭基本一致，但設計上與KLA/Tencor/Prometrix等工具不直接替換，需注意區分使用 。
工作原理：其電氣連接方式和機械接口經過特別設計，確保能夠與CDE ResMap等特定型號的電阻率測試儀精確匹配，實現即插即用的測量。
優勢特點
制造精度：所有探頭在出廠前均經過視頻檢測系統和光學干涉儀檢驗，以驗證針尖半徑曲率、間距和平面度的規范 。彈簧負載通過電子測力計校準，確保每根探針的壓力符合標準 。
材料選擇：探針針尖采用實心碳化鎢制成，保證了使用的耐久性和精度 。根據應用需求，還可選用50%鋨合金材質 。
導向結構：探針內部使用寶石作為上下導向軸承，這種設計使探針在伸縮時平滑順暢，減少了摩擦和側向力，提高了測量的穩定性和探針壽命 。
高絕緣性能：采用特氟龍絕緣材料，使得探針之間的漏電電流極低（兩針間電阻在500V時可達1013Ω），適合測量高阻材料 。
廣泛的定制選項：針對不同材料和測量需求，提供多種針尖半徑、壓力、間距和針頭材質的組合 。同時，生產多種形狀的探頭以適配不同品牌（如KLA、CDE、Napson等）的現有設備 。
應用領域
半導體行業：用于測量硅晶圓、外延層、擴散層、離子注入層等材料的薄層電阻和電阻率，是半導體工藝監控和質量控制的重要工具 。
大學與研究實驗室：用于材料科學研究中測量薄膜、導電涂層、金屬、半導體材料的基本電學性質 。
薄膜與涂層工業：測量太陽能電池薄膜、平板顯示器、光學涂層、導電聚合物等的薄層電阻均勻性 。
材料測試：評估塊狀材料（如硅錠、鍺錠）的體電阻率，以及分析材料在不同條件下的電學性能變化 。
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